【太平洋科技快讯】台积电在2025年北美技术论坛上正式公布了全新的A14 1.4nm级工艺。官方表示，A14是全新升级的一代工艺节点，而非过渡型工艺，并且A14预计将在2028年上半年实现量产。

台积电A14工艺相较于其N2 2nm级工艺，在性能和功耗方面均有显著提升：在同等功耗下，性能可提升10-15%；在同等性能下，功耗可降低25-30%；逻辑晶体管密度最多提升23%，芯片密度最多提升20%。

与传统晶体管相比，第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管技术能够更有效地控制电流，从而提升性能并降低功耗。而NanoFlex Pro标准单元架构则允许设计人员在芯片设计阶段根据特定应用或负载，灵活调整晶体管配置，以达成更优的性能、功耗和面积(PPA)。新的IP、优化和EDA设计软件技术与N2P 2nm和A16 1.6nm工艺不兼容，进一步提升了A14的竞争力。

台积电A14工艺的命名和技术指标直接对标的14A工艺。Intel的14A工艺也号称1.4nm级，并计划于2026年推出。相比之下，台积电A14在性能提升和功耗优化方面表现更为显著，尤其是在晶体管密度和芯片密度提升方面，展现了较强的竞争力。

此外，台积电计划在2029年推出A14工艺的升级版，加入背部供电网络(BSPDN)，进一步提升性能，但成本也会相应增加。这一升级版暂时命名为A14P。未来还可能推出更高性能的A14X版本和更低成本的A14C版本，以满足不同市场需求。