【太平洋科技快讯】12 月 2 日消息，据韩媒 DealSite 昨日报道，三星电子正考虑削减其 HBM3E 高带宽的产能，以扩大更通用的 DRAM 产品生产，目标是实现利润最大化。具体计划涉及将其用于供应 HBM3E 内存的 1a nm 制程 DRAM 产能削减 30% 至 40%，并将这部分产能转换为生产基于 1b nm 制程的通用内存产品。

此次战略调整的核心驱动力在于市场供需与盈利性的变化。尽管三星电子已成为英伟达的 HBM3E 供应商，但其供货规模相对有限，且消息称其 HBM3E 产品平均售价比主要竞争对手 SK 海力士低约 30%。与此同时，受人工智能需求激增、HBM 产能挤占以及短期扩产有限等多重因素影响，DDR5、LPDDR5x 等通用内存产品的价格近期持续上涨，导致基于 1b nm 工艺的通用内存盈利能力反而超越了传统上因高单价而更受关注的 HBM 产品（基于 1a nm 工艺）。

消息人士指出，如果三星电子执行此产能调整计划，将部分 1a nm 及更成熟制程的产能转向 1b nm，预计每月可额外增加约8万片晶圆的 1b nm 产能。目前，三星的 HBM3 和 HBM3E 内存基于 1a nm 工艺，下一代 HBM4 计划采用 1c nm 工艺，而 1b nm 工艺产能则完全用于生产通用内存产品。